PJM10H03NSC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJM10H03NSC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PJM10H03NSC datasheet

 ..1. Size:9045K  pjsemi
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PJM10H03NSC

PJM10H03NSC N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOT-23-3 Features VDS = 100V,ID = 3A RDS(ON)

Otros transistores... NVTFS6H880N, NVTFS6H880NL, NVTFS6H888N, NVTFS6H888NL, NVTFS9D6P04M8L, STD25P03L, PJM02N60SA, PJM07P20SA, IRFB4115, PJM138NSA, PJM2300NSA, PJM2300NSA-L, PJM2301PSA, PJM2301PSA-S, PJM2302NSA, PJM2302NSA-S, PJM2305PSA