PJM10H03NSC - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

PJM10H03NSC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: PJM10H03NSC
   Маркировка: 0103C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 24 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для PJM10H03NSC