Справочник MOSFET. PJM10H03NSC

 

PJM10H03NSC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJM10H03NSC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PJM10H03NSC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM10H03NSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:9045K  pjsemi
pjm10h03nsc.pdfpdf_icon

PJM10H03NSC

PJM10H03NSCN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS = 100V,ID = 3ARDS(ON)

Другие MOSFET... NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , PJM07P20SA , IRFP250N , PJM138NSA , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA , PJM2302NSA-S , PJM2305PSA .

 

 
Back to Top

 


 
.