PJM10H03NSC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PJM10H03NSC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PJM10H03NSC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PJM10H03NSC даташит
pjm10h03nsc.pdf
PJM10H03NSC N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOT-23-3 Features VDS = 100V,ID = 3A RDS(ON)
Другие MOSFET... NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , PJM07P20SA , IRFB4115 , PJM138NSA , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA , PJM2302NSA-S , PJM2305PSA .
History: 2SJ132-Z
History: 2SJ132-Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640