PJM138NSA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJM138NSA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PJM138NSA datasheet

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PJM138NSA

PJM138NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 Features Low gate charge and R DS(ON) Rugged and relaible Application 1. Gate 2.Source 3.Drain Direct logic-level interface TTL/CMOS Marking S3 Drivers relays, solenoids, lamps, hammers, Schematic diagram Display, memories, transistors, etc. 3Drain Battery operated systems Solid-state relays

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