PJM138NSA Todos los transistores

 

PJM138NSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJM138NSA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PJM138NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3058K  pjsemi
 pjm138nsa.pdf pdf_icon

PJM138NSA

PJM138NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23Features Low gate charge and RDS(ON) Rugged and relaibleApplication1. Gate 2.Source 3.Drain Direct logic-level interface: TTL/CMOSMarking: S3 Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers,Schematic diagramDisplay, memories, transistors, etc.3Drain Battery operated systems Solid-state relays

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History: IPD80R900P7 | IPG16N10S4L-61A | IPD90N10S4-06 | IXFB60N80P | MEE3710T

 

 
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