PJM138NSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJM138NSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 12.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PJM138NSA
PJM138NSA Datasheet (PDF)
pjm138nsa.pdf
PJM138NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23Features Low gate charge and RDS(ON) Rugged and relaibleApplication1. Gate 2.Source 3.Drain Direct logic-level interface: TTL/CMOSMarking: S3 Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers,Schematic diagramDisplay, memories, transistors, etc.3Drain Battery operated systems Solid-state relays
Другие MOSFET... NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , PJM07P20SA , PJM10H03NSC , 2N7000 , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA , PJM2302NSA-S , PJM2305PSA , PJM2309PSA .
History: TPM2077 | SML1004RBN | CJAC80SN10
History: TPM2077 | SML1004RBN | CJAC80SN10
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840


