PJM138NSA - аналоги и даташиты транзистора

 

PJM138NSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJM138NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PJM138NSA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM138NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3058K  pjsemi
 pjm138nsa.pdf pdf_icon

PJM138NSA

PJM138NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23Features Low gate charge and RDS(ON) Rugged and relaibleApplication1. Gate 2.Source 3.Drain Direct logic-level interface: TTL/CMOSMarking: S3 Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers,Schematic diagramDisplay, memories, transistors, etc.3Drain Battery operated systems Solid-state relays

Другие MOSFET... NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , PJM07P20SA , PJM10H03NSC , IRF9540 , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA , PJM2302NSA-S , PJM2305PSA , PJM2309PSA .

History: DMN30H4D0LFDE | PJM2300NSA-L | HGD130N12SL | FQA7N90

 

 
Back to Top

 


 
.