Справочник MOSFET. PJM138NSA

 

PJM138NSA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJM138NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM138NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3058K  pjsemi
 pjm138nsa.pdf pdf_icon

PJM138NSA

PJM138NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23Features Low gate charge and RDS(ON) Rugged and relaibleApplication1. Gate 2.Source 3.Drain Direct logic-level interface: TTL/CMOSMarking: S3 Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers,Schematic diagramDisplay, memories, transistors, etc.3Drain Battery operated systems Solid-state relays

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ASDM30N55E-R | KP750B | PHP87N03LT | 2N4338 | SI1402DH | WMO4N65D1B | HGI290N10SL

 

 
Back to Top

 


 
.