PJM3415PSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJM3415PSA
   Código: 3415K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJM3415PSA

PJM3415PSA Datasheet (PDF)

..1. Size:1438K pjsemi
pjm3415psa.pdf

PJM3415PSASilicon P-Channel Power MOSFETSOT-23Features Low Gate Charge and RDS(on) ESD protected(HBM) up to 2KV1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: 3415K Schematic DiagramApplication Load switch and in PWM applicationsDGSAbsolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Maximum UnitsDrain-Source Voltage -V 20 V DS

9.1. Size:2260K pjsemi
pjm3400nsa.pdf

PJM3400NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)

9.2. Size:3580K pjsemi
pjm3401psc.pdf

PJM3401PSCP-Channel Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS= -30V I = -4.5AD RDS(ON)= 60m(max) @-10V2 Halogen and Antimony Free31Applications1. Gate 2.Source 3.Drain Load Switch and in PWM ApplicationsMarking: P1Schematic DiagramDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Valu

9.3. Size:2604K pjsemi
pjm3401psa.pdf

PJM3401PSA P-Enhancement Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R1ApplicationsSchematic Diagram Power switching applicationDrain3 Hard switched and high frequency circuits Unint

9.4. Size:1464K pjsemi
pjm3407psa.pdf

PJM3407PSAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-30V, ID=-4.1ARDS(on)=50m (Typ.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R7ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless ot

9.5. Size:3436K pjsemi
pjm3400nsc.pdf