PJM3415PSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJM3415PSA
Маркировка: 3415K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.2 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PJM3415PSA
PJM3415PSA Datasheet (PDF)
pjm3415psa.pdf
PJM3415PSASilicon P-Channel Power MOSFETSOT-23Features Low Gate Charge and RDS(on) ESD protected(HBM) up to 2KV1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: 3415K Schematic DiagramApplication Load switch and in PWM applicationsDGSAbsolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Maximum UnitsDrain-Source Voltage -V 20 V DS
pjm3400nsa.pdf
PJM3400NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)
pjm3401psc.pdf
PJM3401PSCP-Channel Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS= -30V I = -4.5AD RDS(ON)= 60m(max) @-10V2 Halogen and Antimony Free31Applications1. Gate 2.Source 3.Drain Load Switch and in PWM ApplicationsMarking: P1Schematic DiagramDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Valu
pjm3401psa.pdf
PJM3401PSA P-Enhancement Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R1ApplicationsSchematic Diagram Power switching applicationDrain3 Hard switched and high frequency circuits Unint
pjm3407psa.pdf
PJM3407PSAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-30V, ID=-4.1ARDS(on)=50m (Typ.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R7ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless ot
pjm3400nsc.pdf
PJM3400NSCN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
