EM6M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EM6M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-563
Búsqueda de reemplazo de EM6M2 MOSFET
EM6M2 Datasheet (PDF)
em6m2.pdf
1.2V Drive Nch+Pch MOSFET EM6M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / EMT6Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in EMT6 package. 2) High-speed switching. 3) Low voltage drive (1.2V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : M02 Applications Inner circuit Switch
Otros transistores... PJM2319PSA , PJM3400NSA , PJM3400NSC , PJM3401PSA , PJM3401PSC , PJM3407PSA , PJM3415PSA , PJM84PSA , SPP20N60C3 , LSK3019FP8 , LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA , RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT .
History: SE4607 | 2SK3652 | JMPL1025AE | SSI7N60B | SWP630D | SKQ55P02AD | SPN2302S23R
History: SE4607 | 2SK3652 | JMPL1025AE | SSI7N60B | SWP630D | SKQ55P02AD | SPN2302S23R
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