Справочник MOSFET. EM6M2

 

EM6M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EM6M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для EM6M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EM6M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  rohm
em6m2.pdfpdf_icon

EM6M2

1.2V Drive Nch+Pch MOSFET EM6M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / EMT6Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in EMT6 package. 2) High-speed switching. 3) Low voltage drive (1.2V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : M02 Applications Inner circuit Switch

Другие MOSFET... PJM2319PSA , PJM3400NSA , PJM3400NSC , PJM3401PSA , PJM3401PSC , PJM3407PSA , PJM3415PSA , PJM84PSA , AON7410 , LSK3019FP8 , LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA , RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT .

 

 
Back to Top

 


 
.