RQ3C150BC Todos los transistores

 

RQ3C150BC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ3C150BC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSMT8
 

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RQ3C150BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2756K  rohm
 rq3c150bc.pdf pdf_icon

RQ3C150BC

RQ3C150BCPch -20V -37A Power MOSFETDatasheetlOutlinelVDSS-20VRDS(on)(Max.)6.7m HSMT8ID37APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High Power Package (HSMT8)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen Free5) 100% Rg and UIS testedlPackaging specificationslEmbossed Packing

Otros transistores... PJM3415PSA , PJM84PSA , EM6M2 , LSK3019FP8 , LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA , RJU002N06 , RK7002BMHZG , 4435 , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG .

History: SWHA7N65D | WVM12N10 | IPG20N04S4-08 | SMG2326N | HYG032N03LR1C1 | MTH5N95 | STP4NA90

 

 
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