Справочник MOSFET. RQ3C150BC

 

RQ3C150BC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ3C150BC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ3C150BC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3C150BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2756K  rohm
 rq3c150bc.pdf pdf_icon

RQ3C150BC

RQ3C150BCPch -20V -37A Power MOSFETDatasheetlOutlinelVDSS-20VRDS(on)(Max.)6.7m HSMT8ID37APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) High Power Package (HSMT8)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen Free5) 100% Rg and UIS testedlPackaging specificationslEmbossed Packing

Другие MOSFET... PJM3415PSA , PJM84PSA , EM6M2 , LSK3019FP8 , LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA , RJU002N06 , RK7002BMHZG , 4435 , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG .

History: IRL8113LPBF | IPI65R380C6 | ME15N25-G | SW226N

 

 
Back to Top

 


 
.