RTM002P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RTM002P02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: VMT3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RTM002P02
RTM002P02 Datasheet (PDF)
rtm002p02.pdf
RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.4 0.53) 2.5V drive. 0.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : TW ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit
rtm002p02t2l.pdf
RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.4 0.53) 2.5V drive. 0.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : TW ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit
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Liste
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