RTM002P02 - описание и поиск аналогов

 

RTM002P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTM002P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RTM002P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTM002P02 даташит

 ..1. Size:75K  rohm
 rtm002p02.pdf pdf_icon

RTM002P02

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 3) 2.5V drive. 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol TW Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

 0.1. Size:73K  rohm
 rtm002p02t2l.pdf pdf_icon

RTM002P02

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 3) 2.5V drive. 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol TW Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , AON7506 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE .

History: SI1016CX | PJM3407PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.