Справочник MOSFET. RTM002P02

 

RTM002P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTM002P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: VMT3
 

 Аналог (замена) для RTM002P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTM002P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  rohm
 rtm002p02.pdf pdf_icon

RTM002P02

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.4 0.53) 2.5V drive. 0.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : TW ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit

 0.1. Size:73K  rohm
 rtm002p02t2l.pdf pdf_icon

RTM002P02

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.4 0.53) 2.5V drive. 0.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : TW ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , IRFP250 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE .

History: RJK0222DNS | RJK0212DPA | WMJ53N65C4 | R6024ENJ | IRCZ24PBF | NCE0103M | HY3215W

 

 
Back to Top

 


 
.