RTU002P02 Todos los transistores

 

RTU002P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTU002P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3
 

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RTU002P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  rohm
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RTU002P02

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : TW(3) Drain Packa

 0.1. Size:52K  rohm
 rtu002p02t106.pdf pdf_icon

RTU002P02

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : TW(3) Drain Packa

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History: WMJ36N60C4 | AO3401MI-MS | AONP38324 | AOSX32128 | BSB053N03LPG | JMSH0606PGDQ

 

 
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