RTU002P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RTU002P02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: UMT3
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RTU002P02 datasheet
rtu002p02.pdf
RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol TW (3) Drain Packa
rtu002p02t106.pdf
RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol TW (3) Drain Packa
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History: TK72E08N1 | FCH099N65S3
History: TK72E08N1 | FCH099N65S3
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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