RTU002P02 - описание и поиск аналогов

 

RTU002P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTU002P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: UMT3

Аналог (замена) для RTU002P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTU002P02 даташит

 ..1. Size:48K  rohm
 rtu002p02.pdf pdf_icon

RTU002P02

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol TW (3) Drain Packa

 0.1. Size:52K  rohm
 rtu002p02t106.pdf pdf_icon

RTU002P02

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol TW (3) Drain Packa

Другие MOSFET... RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , TK10A60D , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.