RUC002N05HZGT116 Todos los transistores

 

RUC002N05HZGT116 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUC002N05HZGT116
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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RUC002N05HZGT116 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:2353K  rohm
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RUC002N05HZGT116

RUC002N05HZGT116DatasheetNch 50V 200mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS50V SST3RDS(on)(Max.)2.2ID200mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive(1.2V drive)3) AEC-Q101 Qualified4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5) Halogen

 5.1. Size:195K  rohm
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RUC002N05HZGT116

1.2V Drive Nch MOSFET RUC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000

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History: IPW50R399CP | 2SK2844 | IXFH60N50P3 | MTM12P08 | 2SK2839 | BUK7Y25-60E | 2SK2789

 

 
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