RUC002N05HZGT116 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RUC002N05HZGT116
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для RUC002N05HZGT116
RUC002N05HZGT116 Datasheet (PDF)
ruc002n05hzgt116.pdf
RUC002N05HZGT116DatasheetNch 50V 200mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS50V SST3RDS(on)(Max.)2.2ID200mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive(1.2V drive)3) AEC-Q101 Qualified4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5) Halogen
ruc002n05.pdf
1.2V Drive Nch MOSFET RUC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918