RUC002N05HZGT116. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RUC002N05HZGT116
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для RUC002N05HZGT116
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RUC002N05HZGT116 даташит
ruc002n05hzgt116.pdf
RUC002N05HZGT116 Datasheet Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-23 VDSS 50V SST3 RDS(on)(Max.) 2.2 ID 200mA PD 350mW lInner circuit l lFeatures l 1) Very fast switching 2) Ultra low voltage drive(1.2V drive) 3) AEC-Q101 Qualified 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 5) Halogen
Другие MOSFET... RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , AO4407 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor