Справочник MOSFET. RUC002N05HZGT116

 

RUC002N05HZGT116 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUC002N05HZGT116
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RUC002N05HZGT116

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUC002N05HZGT116 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:2353K  rohm
 ruc002n05hzgt116.pdf pdf_icon

RUC002N05HZGT116

RUC002N05HZGT116DatasheetNch 50V 200mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS50V SST3RDS(on)(Max.)2.2ID200mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive(1.2V drive)3) AEC-Q101 Qualified4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5) Halogen

 5.1. Size:195K  rohm
 ruc002n05.pdf pdf_icon

RUC002N05HZGT116

1.2V Drive Nch MOSFET RUC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000

Другие MOSFET... RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , P60NF06 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR .

History: FDC8878 | 2SK970

 

 
Back to Top

 


 
.