SCT2080KE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SCT2080KE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 262 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 22 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 106 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.117 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SCT2080KE
SCT2080KE Datasheet (PDF)
sct2080ke.pdf
SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutline TO-247VDSS1200V TO-247NRDS(on) (Typ.)80mID40AlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance(1) Gate2) Fast switching speed(2) Drain3) Fast reverse recovery (3) Source4) Easy to parallel* Body Diode5) Simple to drive6) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications*1TO-247 TO-247N
sct20n120.pdf
SCT20N120Silicon carbide Power MOSFET: 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247Datasheet - production dataFeatures Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3(200 C)21 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
