SCT2080KE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SCT2080KE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 262 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm
Encapsulados: TO-247
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SCT2080KE datasheet
sct2080ke.pdf
SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247 VDSS 1200V TO-247N RDS(on) (Typ.) 80m ID 40A lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance (1) Gate 2) Fast switching speed (2) Drain 3) Fast reverse recovery (3) Source 4) Easy to parallel * Body Diode 5) Simple to drive 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications*1 TO-247 TO-247N
sct20n120.pdf
SCT20N120 Silicon carbide Power MOSFET 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247 Datasheet - production data Features Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3 (200 C) 2 1 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca
Otros transistores... RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , 4N60 , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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