Справочник MOSFET. SCT2080KE

 

SCT2080KE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT2080KE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 262 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SCT2080KE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2080KE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  rohm
 sct2080ke.pdf pdf_icon

SCT2080KE

SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutline TO-247VDSS1200V TO-247NRDS(on) (Typ.)80mID40AlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance(1) Gate2) Fast switching speed(2) Drain3) Fast reverse recovery (3) Source4) Easy to parallel* Body Diode5) Simple to drive6) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications*1TO-247 TO-247N

 9.1. Size:493K  st
 sct20n120.pdf pdf_icon

SCT2080KE

SCT20N120Silicon carbide Power MOSFET: 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247Datasheet - production dataFeatures Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3(200 C)21 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca

Другие MOSFET... RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , 10N65 , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL .

History: R6004JND3 | SRC60R030BS | IRFS3107-7PPBF

 

 
Back to Top

 


 
.