SCT2080KE - описание и поиск аналогов

 

SCT2080KE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SCT2080KE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 262 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для SCT2080KE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2080KE даташит

 ..1. Size:389K  rohm
 sct2080ke.pdf pdf_icon

SCT2080KE

SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247 VDSS 1200V TO-247N RDS(on) (Typ.) 80m ID 40A lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance (1) Gate 2) Fast switching speed (2) Drain 3) Fast reverse recovery (3) Source 4) Easy to parallel * Body Diode 5) Simple to drive 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications*1 TO-247 TO-247N

 9.1. Size:493K  st
 sct20n120.pdf pdf_icon

SCT2080KE

SCT20N120 Silicon carbide Power MOSFET 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247 Datasheet - production data Features Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3 (200 C) 2 1 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca

Другие MOSFET... RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , 4N60 , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL .

History: RUC002N05HZGT116 | IRF7351

 

 

 

 

↑ Back to Top
.