SCT2160KE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SCT2160KE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.208 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de SCT2160KE MOSFET
SCT2160KE Datasheet (PDF)
sct2160ke.pdf

SCT2160KE N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247VDSS1200VTO-247NRDS(on) (Typ.)160mID22A(3) PD165W(1) (2) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Low on-resistance(2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Fast reverse recovery*1 Body Diode 4) Easy to parallel5) Simple to drivelPackaging specifications*1TO-247 TO-247N6) Pb-free
Otros transistores... RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , STF13NM60N , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA .
History: SMG2371P | RUM001L02 | IPW60R080P7 | FM200TU-2A | TPC8014 | FDWS9520L-F085 | HYG065N15NS1B
History: SMG2371P | RUM001L02 | IPW60R080P7 | FM200TU-2A | TPC8014 | FDWS9520L-F085 | HYG065N15NS1B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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