Справочник MOSFET. SCT2160KE

 

SCT2160KE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT2160KE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.208 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SCT2160KE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2160KE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  rohm
 sct2160ke.pdf pdf_icon

SCT2160KE

SCT2160KE N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247VDSS1200VTO-247NRDS(on) (Typ.)160mID22A(3) PD165W(1) (2) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Low on-resistance(2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Fast reverse recovery*1 Body Diode 4) Easy to parallel5) Simple to drivelPackaging specifications*1TO-247 TO-247N6) Pb-free

Другие MOSFET... RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , STF13NM60N , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA .

History: FQA48N20 | NCE65TF041T | STD120N4F6 | CS8N80A8H | STP14NM50N | CS8N70FA9H2-G | FQAF28N15

 

 
Back to Top

 


 
.