SCT2160KE - описание и поиск аналогов

 

SCT2160KE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SCT2160KE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.208 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для SCT2160KE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2160KE даташит

 ..1. Size:943K  rohm
 sct2160ke.pdf pdf_icon

SCT2160KE

SCT2160KE N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247 VDSS 1200V TO-247N RDS(on) (Typ.) 160m ID 22A (3) PD 165W (1) (2) lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Low on-resistance (2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Fast reverse recovery *1 Body Diode 4) Easy to parallel 5) Simple to drive lPackaging specifications*1 TO-247 TO-247N 6) Pb-free

Другие MOSFET... RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , IRFP250 , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA .

History: IRFP453FI | HYG067N07NQ1B | STD14NM50N | KNY3204A | STG8810 | 2SK3575-Z | BSS316N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.