Справочник MOSFET. SCT2160KE

 

SCT2160KE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT2160KE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.208 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2160KE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  rohm
 sct2160ke.pdf pdf_icon

SCT2160KE

SCT2160KE N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247VDSS1200VTO-247NRDS(on) (Typ.)160mID22A(3) PD165W(1) (2) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Low on-resistance(2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Fast reverse recovery*1 Body Diode 4) Easy to parallel5) Simple to drivelPackaging specifications*1TO-247 TO-247N6) Pb-free

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.