SCT2750NY Todos los transistores

SCT2750NY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SCT2750NY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.975 Ohm

Encapsulados: TO-268-2L

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros