Справочник MOSFET. SCT2750NY

 

SCT2750NY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SCT2750NY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.975 Ohm
   Тип корпуса: TO-268-2L

 Аналог (замена) для SCT2750NY

 

 

SCT2750NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  rohm
 sct2750ny.pdf

SCT2750NY SCT2750NY

SCT2750NYN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutlineTO-268-2L(2) VDSS1700VRDS(on) (Typ.)750mID6APD57W(1) (3) Features Inner circuit(2)1) Low on-resistance(1) Gate2) Fast switching speed(2) Drain*13) Long creepage distance with no center lead (3) Source(1)4) Simple to drive*1 Body Diode5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(3)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPW60R125CFD7

 

 

Back to Top