Справочник MOSFET. SCT2750NY

 

SCT2750NY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT2750NY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.975 Ohm
   Тип корпуса: TO-268-2L
 

 Аналог (замена) для SCT2750NY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2750NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  rohm
 sct2750ny.pdf pdf_icon

SCT2750NY

SCT2750NYN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutlineTO-268-2L(2) VDSS1700VRDS(on) (Typ.)750mID6APD57W(1) (3) Features Inner circuit(2)1) Low on-resistance(1) Gate2) Fast switching speed(2) Drain*13) Long creepage distance with no center lead (3) Source(1)4) Simple to drive*1 Body Diode5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(3)

Другие MOSFET... RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , 5N65 , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 .

History: DMN2004VK | FKI07076 | IPP80N06S2-05 | IRF150SMD

 

 
Back to Top

 


 
.