SCT2750NY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SCT2750NY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.975 Ohm
Тип корпуса: TO-268-2L
Аналог (замена) для SCT2750NY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SCT2750NY даташит
Другие MOSFET... RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , 2SK3568 , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 .
History: 2SK4047-01S | TPCJ1012 | LBSS260DW1T1G | APQ04SN60CF | BSC030N03MSG
History: 2SK4047-01S | TPCJ1012 | LBSS260DW1T1G | APQ04SN60CF | BSC030N03MSG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710

