SCT2H12NZ Todos los transistores

 

SCT2H12NZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SCT2H12NZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-3PFM

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SCT2H12NZ datasheet

 ..1. Size:791K  rohm
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SCT2H12NZ

SCT2H12NZ N-channel SiC power MOSFET Data Sheet lOutline TO-3PFM VDSS 1700V RDS(on) (Typ.) 1.15W ID 3.7A PD (3) 35W (1) (2) lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Low on-resistance (2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Long creepage distance *1 Body Diode 4) Simple to drive 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications Packaging Tube

Otros transistores... RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , 10N65 , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 , OSG55R074HSZF .

History: F12N65

 

 

 

 

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