Справочник MOSFET. SCT2H12NZ

 

SCT2H12NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT2H12NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PFM
 

 Аналог (замена) для SCT2H12NZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2H12NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  rohm
 sct2h12nz.pdf pdf_icon

SCT2H12NZ

SCT2H12NZ N-channel SiC power MOSFET Data SheetlOutlineTO-3PFMVDSS1700VRDS(on) (Typ.)1.15WID3.7APD (3) 35W(1) (2) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Low on-resistance(2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Long creepage distance *1 Body Diode 4) Simple to drive5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsPackaging Tube

Другие MOSFET... RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , STP80NF70 , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 , OSG55R074HSZF .

History: WML15N60C4 | LPM3400B3F | NCEP0160A

 

 
Back to Top

 


 
.