SCT2H12NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SCT2H12NZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-3PFM
SCT2H12NZ Datasheet (PDF)
sct2h12nz.pdf
SCT2H12NZ N-channel SiC power MOSFET Data SheetlOutlineTO-3PFMVDSS1700VRDS(on) (Typ.)1.15WID3.7APD (3) 35W(1) (2) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Low on-resistance(2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Long creepage distance *1 Body Diode 4) Simple to drive5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsPackaging Tube
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918