Справочник MOSFET. SCT2H12NZ

 

SCT2H12NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT2H12NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PFM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2H12NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  rohm
 sct2h12nz.pdf pdf_icon

SCT2H12NZ

SCT2H12NZ N-channel SiC power MOSFET Data SheetlOutlineTO-3PFMVDSS1700VRDS(on) (Typ.)1.15WID3.7APD (3) 35W(1) (2) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Low on-resistance(2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Long creepage distance *1 Body Diode 4) Simple to drive5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsPackaging Tube

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FCH47N60F | WML10N80M3 | WST3034 | 2SK2704

 

 
Back to Top

 


 
.