SCT2H12NZ - описание и поиск аналогов

 

SCT2H12NZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SCT2H12NZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-3PFM

Аналог (замена) для SCT2H12NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT2H12NZ даташит

 ..1. Size:791K  rohm
 sct2h12nz.pdf pdf_icon

SCT2H12NZ

SCT2H12NZ N-channel SiC power MOSFET Data Sheet lOutline TO-3PFM VDSS 1700V RDS(on) (Typ.) 1.15W ID 3.7A PD (3) 35W (1) (2) lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Low on-resistance (2) Drain 2) Fast switching speed (3) Source 3) Long creepage distance *1 Body Diode 4) Simple to drive 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications Packaging Tube

Другие MOSFET... RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , 10N65 , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 , OSG55R074HSZF .

History: SPD50N06S2-14 | WML36N60F2 | WML071N15HG2 | 2SK3065T100 | NTTFS4C13N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.