UM5K1N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UM5K1N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: UMT5
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UM5K1N datasheet
um5k1n.pdf
UM5K1N Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET UM5K1N Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT5 2.0 1.3 0.9 Features 0.65 0.65 0.7 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. (5) (4) 2) Mounting cost and area can be cut in half. (1) (2) (3) 3) Low on-resistance. 1pin mark 0.2 0.15 4) Low voltage drive (2.5V) makes this device i
um5k1n k1 sot353.pdf
Transistor Small switching (30V, 0.1A) UM5K1N FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 5) Easily designed drive circuits. FApplications Interfacing, switching (30V, 100mA) FEquivalent c
Otros transistores... SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , 20N50 , UT6MA3 , OSG55R074HSZF , OSG55R140HF , OSG55R160FZF , OSG60R180FF , OSG60R180PSF , OSG60R180FSF , OSG60R180ISF .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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