UM5K1N Todos los transistores

 

UM5K1N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UM5K1N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT5
 

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UM5K1N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  rohm
 um5k1n.pdf pdf_icon

UM5K1N

UM5K1N Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET UM5K1N Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT52.01.3 0.9 Features 0.65 0.650.71) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. (5) (4)2) Mounting cost and area can be cut in half. (1) (2) (3)3) Low on-resistance. 1pin mark0.2 0.154) Low voltage drive (2.5V) makes this device i

 ..2. Size:107K  rohm
 um5k1n k1 sot353.pdf pdf_icon

UM5K1N

TransistorSmall switching (30V, 0.1A)UM5K1NFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SK3018 transistors in a singleUMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.3) Low on-resistance.4) Low voltage drive (2.5V) makes thisdevice ideal for portable equipment.5) Easily designed drive circuits.FApplicationsInterfacing, switching (30V, 100mA)FEquivalent c

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History: TPC8006-H | BL10N40-D | OSG55R108PZF | FS10SM-18A | CS2N65A4HY | IPP80N06S2-H5 | 2N6796U

 

 
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