UM5K1N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UM5K1N
Código: K1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: UMT5
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UM5K1N Datasheet (PDF)
um5k1n.pdf
UM5K1N Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET UM5K1N Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT52.01.3 0.9 Features 0.65 0.650.71) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. (5) (4)2) Mounting cost and area can be cut in half. (1) (2) (3)3) Low on-resistance. 1pin mark0.2 0.154) Low voltage drive (2.5V) makes this device i
um5k1n k1 sot353.pdf
TransistorSmall switching (30V, 0.1A)UM5K1NFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SK3018 transistors in a singleUMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.3) Low on-resistance.4) Low voltage drive (2.5V) makes thisdevice ideal for portable equipment.5) Easily designed drive circuits.FApplicationsInterfacing, switching (30V, 100mA)FEquivalent c
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