UM5K1N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UM5K1N
Маркировка: K1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: UMT5
UM5K1N Datasheet (PDF)
um5k1n.pdf
UM5K1N Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET UM5K1N Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT52.01.3 0.9 Features 0.65 0.650.71) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. (5) (4)2) Mounting cost and area can be cut in half. (1) (2) (3)3) Low on-resistance. 1pin mark0.2 0.154) Low voltage drive (2.5V) makes this device i
um5k1n k1 sot353.pdf
TransistorSmall switching (30V, 0.1A)UM5K1NFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SK3018 transistors in a singleUMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.3) Low on-resistance.4) Low voltage drive (2.5V) makes thisdevice ideal for portable equipment.5) Easily designed drive circuits.FApplicationsInterfacing, switching (30V, 100mA)FEquivalent c
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100