STV4N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV4N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Encapsulados: SO10
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STV4N100 datasheet
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History: STV33N10
History: STV33N10
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