STV4N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV4N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SO10

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STV4N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV4N100 даташит

 9.1. Size:344K  st
 stv4na60.pdf pdf_icon

STV4N100

 9.2. Size:335K  st
 stv4na80.pdf pdf_icon

STV4N100

Другие IGBT... STV10NA40, STV12N20, STV18N20, STV33N10, STV36N06, STV3NA80, STV40N05, STV40N10, 75N75, STV4NA60, STV4NA80, STV50N05, STV50N06, STV55N05L, STV55N06L, STV5NA50, STV5NA80