OSG60R180HSF Todos los transistores

OSG60R180HSF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG60R180HSF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 163 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO247

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros