OSG60R180HSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG60R180HSF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 163 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
   Carga de la puerta (Qg): 35.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 20.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120.2 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R180HSF

OSG60R180HSF Datasheet (PDF)

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OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

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