OSG60R180HSF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R180HSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R180HSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG60R180HSF

OSG60R180HSF Datasheet (PDF)

..1. Size:1016K oriental semi
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

..2. Size:872K oriental semi
osg60r180hsf.pdf