OSG60R180HSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OSG60R180HSF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 163 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35.5 nC
Время нарастания (tr): 20.1 ns
Выходная емкость (Cd): 120.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для OSG60R180HSF
OSG60R180HSF Datasheet (PDF)
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .