OSG60R180HSF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R180HSF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для OSG60R180HSF
OSG60R180HSF Datasheet (PDF)
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf
OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60
Другие MOSFET... UT6MA3 , OSG55R074HSZF , OSG55R140HF , OSG55R160FZF , OSG60R180FF , OSG60R180PSF , OSG60R180FSF , OSG60R180ISF , RU6888R , OSG60R180KSF , OSG60R580FTF , OSG65R1K4AF , OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF .
History: NCE65TF041T | MTA06N03J3 | STP14NM50N | STD120N4F6 | FQAF28N15 | CS8N80A8H | CS8N70FA9H2-G
History: NCE65TF041T | MTA06N03J3 | STP14NM50N | STD120N4F6 | FQAF28N15 | CS8N80A8H | CS8N70FA9H2-G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550