OSG65R260FSF_NB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG65R260FSF_NB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R260FSF_NB

OSG65R260FSF_NB Datasheet (PDF)

0.1. Size:762K oriental semi
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OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB

2.1. Size:966K oriental semi
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