OSG65R260FSF_NB - описание и поиск аналогов

 

OSG65R260FSF_NB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: OSG65R260FSF_NB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG65R260FSF_NB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R260FSF_NB даташит

 0.1. Size:762K  oriental semi
osg65r260fsf nb.pdfpdf_icon

OSG65R260FSF_NB

OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB

 2.1. Size:966K  oriental semi
osg65r260fsf-nb.pdfpdf_icon

OSG65R260FSF_NB

 2.2. Size:963K  oriental semi
osg65r260fsf.pdfpdf_icon

OSG65R260FSF_NB

Другие MOSFET... OSG60R180ISF , OSG60R180HSF , OSG60R180KSF , OSG60R580FTF , OSG65R1K4AF , OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , IRF830 , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , OSG65R380DEF , OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.