OSG65R380DEF Todos los transistores

 

OSG65R380DEF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG65R380DEF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R380DEF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R380DEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:994K  oriental semi
osg65r380def.pdf pdf_icon

OSG65R380DEF

 4.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdf pdf_icon

OSG65R380DEF

 4.2. Size:1052K  oriental semi
osg65r380df.pdf pdf_icon

OSG65R380DEF

 4.3. Size:985K  oriental semi
osg65r380dsf.pdf pdf_icon

OSG65R380DEF

Otros transistores... OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , IRF9640 , OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF , OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , SFG08R06DF .

 

 
Back to Top

 


 
.