Справочник MOSFET. OSG65R380DEF

 

OSG65R380DEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R380DEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 18.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 62 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для OSG65R380DEF

 

 

OSG65R380DEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:994K  oriental semi
osg65r380def.pdf

OSG65R380DEF
OSG65R380DEF

 4.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdf

OSG65R380DEF
OSG65R380DEF

 4.2. Size:1052K  oriental semi
osg65r380df.pdf

OSG65R380DEF
OSG65R380DEF

 4.3. Size:985K  oriental semi
osg65r380dsf.pdf

OSG65R380DEF
OSG65R380DEF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top