OSG65R380DEF - описание и поиск аналогов

 

OSG65R380DEF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: OSG65R380DEF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R380DEF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R380DEF даташит

 ..1. Size:994K  oriental semi
osg65r380def.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

 4.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

 4.2. Size:1052K  oriental semi
osg65r380df.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

 4.3. Size:985K  oriental semi
osg65r380dsf.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

Другие MOSFET... OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , K2611 , OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF , OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , SFG08R06DF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.