Справочник MOSFET. OSG65R380DEF

 

OSG65R380DEF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R380DEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG65R380DEF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R380DEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:994K  oriental semi
osg65r380def.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

 4.1. Size:1038K  oriental semi
osg65r380dtf.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

 4.2. Size:1052K  oriental semi
osg65r380df.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

 4.3. Size:985K  oriental semi
osg65r380dsf.pdfpdf_icon

OSG65R380DEF

Другие MOSFET... OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , IRF9640 , OSG65R380FEF , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF , OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , SFG08R06DF .

History: IXTP7N60P | IPP80N06S4-07 | OSG55R030HZF | IPP120N04S3-02 | STB180N55F3 | TPC6113 | WMB90P03TS

 

 
Back to Top

 


 
.