F501D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: F501D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET F501D

F501D Datasheet (PDF)

..1. Size:1434K pipsemi
f501d.pdf

F501D 600V Depletion-Mode Power MOSFET General Features BVDSX RDS(ON),typ. IDSS Proprietary Advanced Planar Technology 600V 350 12mA Depletion Mode (Normally On) ESD improved Capability Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Synchronous Rectification Normally-

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3109-ZJ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: