F501D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F501D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET F501D
F501D Datasheet (PDF)
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F501D 600V Depletion-Mode Power MOSFET General Features BVDSX RDS(ON),typ. IDSS Proprietary Advanced Planar Technology 600V 350 12mA Depletion Mode (Normally On) ESD improved Capability Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Synchronous Rectification Normally-
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
