Справочник MOSFET. F501D

 

F501D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F501D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для F501D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F501D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1434K  pipsemi
 f501d.pdf pdf_icon

F501D

F501D 600V Depletion-Mode Power MOSFET General Features BVDSX RDS(ON),typ. IDSS Proprietary Advanced Planar Technology 600V 350 12mA Depletion Mode (Normally On) ESD improved Capability Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Synchronous Rectification Normally-

Другие MOSFET... OSG80R250FF , SFG08R06DF , SFG100N08PF , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , IRF540 , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C .

History: FDB2552_F085 | NCE3400 | AON7430L | KF11N50P | R6024ENZ1 | IPS60R1K0PFD7S | MMFT60R195PCTH

 

 
Back to Top

 


 
.