PIP8205-S8 Todos los transistores

 

PIP8205-S8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PIP8205-S8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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PIP8205-S8 datasheet

 7.1. Size:5365K  pipsemi
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PIP8205-S8

PIP8205 20V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON),max.m RDS(ON),typ.m Test Conditions ID General Features 20 16 VGS=10V, ID=5.0A Proprietary New Trench Technology 20V V =4.5V, I =4.5A 7A 22 18 GS D Low Gate Charge Minimize Switching Loss VGS=2.5V, ID=3.0A 28 22 Fast Recovery Body Diode D1/D2 S2 S2 Applications G2 Pin 1 High efficiency

Otros transistores... SFG08R06DF , SFG100N08PF , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , IRF540 , PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 .

History: AOW29S50 | IPI111N15N3 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210

 

 

 

 

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