Справочник MOSFET. PIP8205-S8

 

PIP8205-S8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PIP8205-S8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PIP8205-S8 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:5365K  pipsemi
 pip8205.pdf pdf_icon

PIP8205-S8

PIP8205 20V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON),max.m RDS(ON),typ.m Test Conditions ID General Features 20 16 VGS=10V, ID=5.0A Proprietary New Trench Technology 20V V =4.5V, I =4.5A 7A 22 18 GS D Low Gate Charge Minimize Switching Loss VGS=2.5V, ID=3.0A 28 22 Fast Recovery Body Diode D1/D2 S2 S2 Applications G2 Pin 1 High efficiency

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDW254P | IXFC80N10

 

 
Back to Top

 


 
.