PSD04N65B Todos los transistores

 

PSD04N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PSD04N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de PSD04N65B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PSD04N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  pipsemi
 psu04n65b psd04n65b.pdf pdf_icon

PSD04N65B

PSU04N65B PSD04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G G Charger D D S SMPS Standby Power S TO-251 TO-252 Ordering Information Part Number Package Br

Otros transistores... PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , AON6414A , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 .

 

 
Back to Top

 


 
.