Справочник MOSFET. PSD04N65B

 

PSD04N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSD04N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PSD04N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSD04N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  pipsemi
 psu04n65b psd04n65b.pdf pdf_icon

PSD04N65B

PSU04N65B PSD04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G G Charger D D S SMPS Standby Power S TO-251 TO-252 Ordering Information Part Number Package Br

Другие MOSFET... PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , IRFP250N , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
Back to Top

 


 
.