PSD04N65B - описание и поиск аналогов

 

PSD04N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSD04N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PSD04N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSD04N65B даташит

 ..1. Size:658K  pipsemi
 psu04n65b psd04n65b.pdf pdf_icon

PSD04N65B

PSU04N65B PSD04N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.9 4.0A RDS(ON),typ.=1.9 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G G Charger D D S SMPS Standby Power S TO-251 TO-252 Ordering Information Part Number Package Br

Другие MOSFET... PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , IRFB4115 , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 .

History: 2SK1638 | DMP4013LFG | SMG2319P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.