PTA04N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTA04N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 36 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTA04N100
PTA04N100 Datasheet (PDF)
pta04n100.pdf
PTA04N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 2.0 4.0A RDS(ON),typ.=2.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PT
pta04n80.pdf
PTA04N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 3.7 4A RDS(ON),typ.=3.7 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor Other Applications Ordering Information Part Number Package Brand PTA04N80 TO-220F Absolute Maximum Rati
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