PTA04N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTA04N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de PTA04N100 MOSFET
PTA04N100 Datasheet (PDF)
pta04n100.pdf
PTA04N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 2.0 4.0A RDS(ON),typ.=2.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PT
pta04n80.pdf
PTA04N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 3.7 4A RDS(ON),typ.=3.7 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor Other Applications Ordering Information Part Number Package Brand PTA04N80 TO-220F Absolute Maximum Rati
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History: PJP6NA70 | SSF3341 | FQA9N50
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