Справочник MOSFET. PTA04N100

 

PTA04N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA04N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA04N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA04N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  pipsemi
 pta04n100.pdf pdf_icon

PTA04N100

PTA04N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 2.0 4.0A RDS(ON),typ.=2.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PT

 8.1. Size:845K  pipsemi
 pta04n80.pdf pdf_icon

PTA04N100

PTA04N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 3.7 4A RDS(ON),typ.=3.7 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor Other Applications Ordering Information Part Number Package Brand PTA04N80 TO-220F Absolute Maximum Rati

Другие MOSFET... PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , 2SK3878 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 .

History: RUH1H150S-AR | FIR120N055PG | ST2342

 

 
Back to Top

 


 
.