PTA05N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTA05N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de PTA05N65 MOSFET
PTA05N65 Datasheet (PDF)
pta05n65.pdf
PTA05N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.85 5.0A RDS(ON),typ.=1.85 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA
tmpt5551 tmpt6427 tmpt6428 tmpt6429 tmpta05 tmpta06 tmpta12 tmpta13 tmpta14 tmpta20 tmpta42 tmpta43.pdf
Otros transistores... PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , AON7408 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 .
History: VS3604AT | TK20A25D | PHB20N06T | FDD86113LZ | SWI19N10 | HMS11N70F | IPS0151S
History: VS3604AT | TK20A25D | PHB20N06T | FDD86113LZ | SWI19N10 | HMS11N70F | IPS0151S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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