PTA05N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTA05N65 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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PTA05N65 datasheet
pta05n65.pdf
PTA05N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.85 5.0A RDS(ON),typ.=1.85 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA
tmpt5551 tmpt6427 tmpt6428 tmpt6429 tmpta05 tmpta06 tmpta12 tmpta13 tmpta14 tmpta20 tmpta42 tmpta43.pdf
Otros transistores... PSP10N70, PSA10N70, PSU04N65B, PSD04N65B, PSU07N65, PSD07N65, PTA04N100, PTA04N80, IRFP250N, PTA07N65B, PTA08N100, PTA09N45, PTA13N45, PTA22N60, PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60
History: SSM5H06FE | PTD60N02
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Liste
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