PTA05N65 Todos los transistores

 

PTA05N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTA05N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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PTA05N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  pipsemi
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PTA05N65

PTA05N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.85 5.0A RDS(ON),typ.=1.85 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA

 9.1. Size:15143K  sprague
 tmpt5551 tmpt6427 tmpt6428 tmpt6429 tmpta05 tmpta06 tmpta12 tmpta13 tmpta14 tmpta20 tmpta42 tmpta43.pdf pdf_icon

PTA05N65

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History: CEBF630 | WMN25N70EM

 

 
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