PTA05N65. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PTA05N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для PTA05N65
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PTA05N65 даташит
pta05n65.pdf
PTA05N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 1.85 5.0A RDS(ON),typ.=1.85 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA
tmpt5551 tmpt6427 tmpt6428 tmpt6429 tmpta05 tmpta06 tmpta12 tmpta13 tmpta14 tmpta20 tmpta42 tmpta43.pdf
Другие MOSFET... PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , IRFP250N , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 .
History: SUM110N04-2M3L | SMG2306NE | APT47F60J | PTA04N80 | UPA1763G | WMR13N03T1
History: SUM110N04-2M3L | SMG2306NE | APT47F60J | PTA04N80 | UPA1763G | WMR13N03T1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet