PTA07N65B Todos los transistores

 

PTA07N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTA07N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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PTA07N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  pipsemi
 pta07n65b.pdf pdf_icon

PTA07N65B

PTA07N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.2 7.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package Not to Scale P

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History: NTH4L027N65S3F | SM1A22NSFP | STP14NF10 | IRF9640L | GKI06185 | SWB090R08ET | SM1A21NSK

 

 
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