PTA07N65B - описание и поиск аналогов

 

PTA07N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTA07N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PTA07N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA07N65B даташит

 ..1. Size:844K  pipsemi
 pta07n65b.pdf pdf_icon

PTA07N65B

PTA07N65B 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.2 7.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package Not to Scale P

Другие MOSFET... PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , IRF630 , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 .

History: SUM110N04-04

 

 

 

 

↑ Back to Top
.