PTA22N60 Todos los transistores

 

PTA22N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTA22N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de PTA22N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTA22N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1289K  pipsemi
 pta22n60.pdf pdf_icon

PTA22N60

PTA22N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 300m 22A RDS(ON),typ.=300 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

 7.1. Size:1002K  pipsemi
 pta22n65.pdf pdf_icon

PTA22N60

PTA22N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 350m 22A RDS(ON),typ.=350 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

Otros transistores... PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , 12N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 .

 

 
Back to Top

 


 
.