PTA22N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA22N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA22N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA22N60 даташит

 ..1. Size:1289K  pipsemi
 pta22n60.pdf pdf_icon

PTA22N60

PTA22N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 300m 22A RDS(ON),typ.=300 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

 7.1. Size:1002K  pipsemi
 pta22n65.pdf pdf_icon

PTA22N60

PTA22N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 350m 22A RDS(ON),typ.=350 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

Другие IGBT... PSD07N65, PTA04N100, PTA04N80, PTA05N65, PTA07N65B, PTA08N100, PTA09N45, PTA13N45, STP75NF75, PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, PTF12N90, PTF27N80