PTA25N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTA25N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 65 nC
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTA25N50
PTA25N50 Datasheet (PDF)
..1. Size:1269K pipsemi
pta25n50.pdf
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PTA25N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 210m 25A RDS(ON),typ.=210 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P
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