PTA25N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTA25N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PTA25N50 datasheet

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PTA25N50

PTA25N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 210m 25A RDS(ON),typ.=210 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

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