Справочник MOSFET. PTA25N50

 

PTA25N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA25N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA25N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA25N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  pipsemi
 pta25n50.pdf pdf_icon

PTA25N50

PTA25N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 210m 25A RDS(ON),typ.=210 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

Другие MOSFET... PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , IRF1010E , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 , PTH03N150 , PTA03N150 .

History: NCEP6090K | IRC530-008

 

 
Back to Top

 


 
.